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2023世界集成电路大会暨中国国际半导体博览会

编辑:上海频东展览有限来源: 发表时间:2023-05-28 04:24:27关注 次 | 查看所有评论

内容摘要: IC China 2023 中国国际半导体博览会 展会时间:2023年11月17日-11月19日 展会场馆:合肥滨湖国际会展中心 展会地区:安徽 | 合肥市 所属行业:通信|通讯|电子 展会周期:一年一届 主办单……

IC China 2023 中国国际半导体博览会

展会时间:2023年11月17日-11月19日

展会场馆:合肥滨湖国际会展中心

展会地区:安徽 | 合肥市

所属行业:通信|通讯|电子

展会周期:一年一届

主办单位:中国半导体行业协会

承办单位:芯平台(北京)科技发展有限公司

组展单位:北京大益会展有限公司

协办单位:省市半导体协会

展会规模:600家参展,40000平方米 4个展馆


展会介绍

为进一步加强全球集成电路产业交流与合作,促进产业链、供应链、价值链资源聚集和有效对接,由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办的中国国际半导体博览会(IC China 2023)将于11月17-19日在安徽合肥滨湖国际会展中心举行。本届展会以“集合全行业资源成就大产业协同”为主题,全面展示全球产业链前沿技术产品、叠加多领域超大规模创新应用成果。


中国国际半导体博览会(IC CHINA)是中国半导体行业协会主办的***展览会,已连续举办二十届,现已成为我国半导体行业***权威性和专业性的重大标志性年度盛会。当前,健康可持续发展的半导体产业链建设正在引发全社会的高度关注,集成电路技术产品的应用正在融入社会生活的方方面面,为今年IC China带来更多的创新期待和发展空间。有鉴于此,中国半导体行业协会将系统组织全行业资源,在40000平方米的展览场地,全面展示全球半导体产业的前沿技术及先进产品,并创新“半导体+”概念展示半导体叠加多领域的超大规模创新应用成果。


设置四大特色展馆,串联产业生态链

ICChina 2023展出面积40000平方米。


展示内容:

半导体材料:硅片及硅基材料、硅晶圆、硅晶片、单晶硅、硅片、锗硅材料、S01材料、太阳能电池用硅材料及化合物半导体材料、石英制品、石墨制品、防静电材料、光刻胶及其配套试剂、晶圆胶带、光掩膜版、电子气体、特种化学气体、CMP抛光材料、封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、封测材料等;


晶圆制造及封装:晶圆制造、SiP先进封装、硅晶圆及IC封装载板、印制电路板、封装基板和设备及组装和测试等、封装设计、测试、设备与应用制造与封测、EDA、MCU、印制电路板、封装基板半导体材料与设备等;


集成电路制造:晶圆制造厂、晶圆代工厂、模拟集成电路、数字集成电路和数、模混合集成电路制造、集成电路终端产品等;


半导体设备制造:封装设备、扩散设备、焊接设备、清洗设备、测试设备、制冷设备、氧化设备、贴片机、单晶炉、氧化炉、研磨机、光刻机、刻蚀机、抛光机、离子注入设备、CVD/PVD设备、涂胶/显影机、回流焊、波峰焊、探针台、洁净室设备等;


封装与测试配套:测试探针台、探针卡、测试机、分选机、封装设备、封装基板、引线框架键合丝、引线键合、烧焊测试、激光切割、研磨液、封片膜(胶)高温胶带、层压基板、贴片胶、上料板、焊线流量控制、石英石墨、碳化硅等;


第三代半导体:第三代半导体碳化硅SiC、氮化镓GaN、晶圆、衬底、封装、测试、光电子器件(发光二极管LED、激光器LD、探测器紫外)、电力电子器件(二极管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射频器件(HEMT、MMIC)等;


IC设计:IC及相关电子产品设计、IC产品与应用技术、IC测试方法与测试仪器、IC设计与设计工具、IC制造与封装、EDA、IP设计、嵌入式软件、数字电路设计、模拟与混合信号电路设计、集成电路布局设计等;


电子元器件:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件/IGBT、电声器件、 激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、印刷电路用基材基板、无源器件、5G核心元器件、元电源管理、储存器、PCB板、电机风扇、电声器件、显示器件、二极管、三极管等;


创新应用:AI芯片、显示芯片、驱动芯片、电源管理芯片、电器芯片、传感器芯片、物联网芯片、通信芯片、交通电子芯片、计算机及控制芯片、存储器芯片、5G芯片、车规级芯片、医疗芯片、音视频处理芯片等;


参展费用

标准展位:15000元/间/9平米

光地展位:1500元/平米


联系方式

联系人:谢辉

手  机:136 2180 2207 (参展+V)

邮  箱:460640429@qq.com


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